Weitere Produktangebote TK6A60D(STA4,Q,M)
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| TK6A60D |
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TK6A60D(STA4,Q,M) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
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TK6A60D(STA4,Q,M) | Hersteller : Toshiba |
MOSFET N-Ch FET 600V 3.0s IDSS 10 uA 1.0 Ohm |
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| TK6A60D | Hersteller : Toshiba | MOSFETs |
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