TK6A60W,S4VX(M TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details TK6A60W,S4VX(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TK6A60W,S4VX(M
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK6A60W,S4VX(M | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
TK6A60W,S4VX(M | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
TK6A60W,S4VX(M | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.2A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.68Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1200 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
TK6A60W,S4VX(M | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.2A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.68Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |