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TK6A65D(STA4,Q,M)

TK6A65D(STA4,Q,M) Toshiba

09413550A9CA336AB1FEE7A4886AB3268ED5A7EA07B4C8DD711F781EF7944C23.pdf Hersteller: Toshiba
MOSFETs N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm
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Technische Details TK6A65D(STA4,Q,M) Toshiba

Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TK6A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=22770&prodName=TK6A65D Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
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TK6A65DSTA4QM
Produktcode: 143200
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TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba 1285docget.jsplangenpidtk6a65dtypedatasheet.jsplangenpidtk6a65dtypeda.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba 1285docget.jsplangenpidtk6a65dtypedatasheet.jsplangenpidtk6a65dtypeda.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK6A65D(STA4,Q,M) TK6A65D(STA4,Q,M) Hersteller : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EC930C90CD60C4&compId=TK6A65D.pdf?ci_sign=a7f8faeb0d9c3e63e5b25ee89d09c2fcf1c8ee4e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 45W
Drain-source voltage: 650V
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