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TK6P60W,RVQ

TK6P60W,RVQ Toshiba

21tk6p60w_en_datasheet.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Technische Details TK6P60W,RVQ Toshiba

Description: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V.

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TK6P60W,RVQ TK6P60W,RVQ Hersteller : Toshiba 21tk6p60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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TK6P60W,RVQ TK6P60W,RVQ Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TK6P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13530&prodName=TK6P60W Description: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
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TK6P60W,RVQ TK6P60W,RVQ Hersteller : Toshiba TK6P60W_datasheet_en_20140917-1140108.pdf MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
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TK6P60W,RVQ TK6P60W,RVQ Hersteller : Toshiba 21tk6p60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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TK6P60W,RVQ TK6P60W,RVQ Hersteller : Toshiba 21tk6p60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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TK6P60W,RVQ TK6P60W,RVQ Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TK6P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13530&prodName=TK6P60W Description: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
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