Produkte > TOSHIBA > TK6P60W,RVQ
TK6P60W,RVQ

TK6P60W,RVQ Toshiba

21tk6p60w_en_datasheet.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
145+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TK6P60W,RVQ Toshiba

Description: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V.

Weitere Produktangebote TK6P60W,RVQ nach Preis ab 1.01 EUR bis 4.82 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TK6P60W,RVQ TK6P60W,RVQ Hersteller : Toshiba 21tk6p60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
145+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQ TK6P60W,RVQ Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TK6P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13530&prodName=TK6P60W Description: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.45 EUR
10+2.88 EUR
100+1.98 EUR
500+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQ TK6P60W,RVQ Hersteller : Toshiba 3345324633343337393246384441304233423534303942333141363235313638.pdf MOSFETs N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
auf Bestellung 5775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.82 EUR
10+2.06 EUR
100+1.76 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.68 EUR
2000+1.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQ TK6P60W,RVQ Hersteller : Toshiba 21tk6p60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQ TK6P60W,RVQ Hersteller : Toshiba 21tk6p60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK6P60W,RVQ TK6P60W,RVQ Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TK6P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13530&prodName=TK6P60W Description: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH