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TK6R7P06PL,RQ(S2

TK6R7P06PL,RQ(S2 TOSHIBA


3622514.pdf Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6R7P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 66W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 183 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details TK6R7P06PL,RQ(S2 TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK6R7P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 66W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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TK6R7P06PL,RQ(S2 TK6R7P06PL,RQ(S2 Hersteller : TOSHIBA 3622514.pdf Description: TOSHIBA - TK6R7P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
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usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK6R7P06PL,RQ(S2 Hersteller : Toshiba TK6R7P06PL,RQ(S2
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
92+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 92
TK6R7P06PL,RQ(S2 Hersteller : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TK6R7P06PL,RQ(S2 Hersteller : TOSHIBA TK6R7P06PL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; Idm: 190A; 66W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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TK6R7P06PL,RQ(S2 Hersteller : TOSHIBA TK6R7P06PL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; Idm: 190A; 66W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
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Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhanced
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