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TK7A65D(STA4,Q,M)

TK7A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage

TK7A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2386&prodName=TK7A65D Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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Technische Details TK7A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - TK7A65D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.8 ohm, SC-67, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: SC-67, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote TK7A65D(STA4,Q,M) nach Preis ab 2.35 EUR bis 5.15 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TK7A65D(STA4,Q,M) TK7A65D(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba TK7A65D_datasheet_en_20131101-1150938.pdf MOSFET N-Ch MOS 7A 650V 45W 1200pF 0.98
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TK7A65D(STA4,Q,M) TK7A65D(STA4,Q,M) Hersteller : TOSHIBA TK7A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2386&prodName=TK7A65D Description: TOSHIBA - TK7A65D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.8 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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TK7A65D(STA4,Q,M) TK7A65D(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba 305docget.jsptypedatasheetlangenpidtk7a65d.jsptypedatasheetlangenpid.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK7A65D(STA4,Q,M) TK7A65D(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba 305docget.jsptypedatasheetlangenpidtk7a65d.jsptypedatasheetlangenpid.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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