TK7P50D(T6RSS-Q)

TK7P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage


TK7P50D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2328&prodName=TK7P50D Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+2.2 EUR
10+ 1.8 EUR
100+ 1.4 EUR
500+ 1.19 EUR
1000+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TK7P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - TK7P50D(T6RSS-Q) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote TK7P50D(T6RSS-Q)

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
TK7P50D(T6RSS-Q) TK7P50D(T6RSS-Q) Hersteller : TOSHIBA 3934765.pdf Description: TOSHIBA - TK7P50D(T6RSS-Q) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK7P50D(T6RSS-Q) TK7P50D(T6RSS-Q) Hersteller : TOSHIBA 3934765.pdf Description: TOSHIBA - TK7P50D(T6RSS-Q) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK7P50D(T6RSS-Q) TK7P50D(T6RSS-Q) Hersteller : Toshiba 1919tk7p50d_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 500V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TK7P50D(T6RSS-Q) TK7P50D(T6RSS-Q) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TK7P50D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2328&prodName=TK7P50D Description: MOSFET N-CH 500V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
TK7P50D(T6RSS-Q) TK7P50D(T6RSS-Q) Hersteller : Toshiba TK7P50D_datasheet_en_20131101-1916419.pdf MOSFET N-Ch MOS 7A 500V 100W 600pF 1.22
Produkt ist nicht verfügbar