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TK8A50D(STA4,Q,M)

TK8A50D(STA4,Q,M) Toshiba

TK8A50D_datasheet_en_20131101-1150867.pdf Hersteller: Toshiba
MOSFETs N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
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Technische Details TK8A50D(STA4,Q,M) Toshiba

Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.

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TK8A50D(STA4,Q,M) TK8A50D(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TK8A50D_datasheet_en_20131101.pdf?did=21785&prodName=TK8A50D Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
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TK8A50D(STA4,Q,M) TK8A50D(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba 18dst_tk8a50d-tde_en_8998.pdf Trans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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