Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > TK8A65D(STA4,Q,M)

TK8A65D(STA4,Q,M)

TK8A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=22772&prodName=TK8A65D
Produktcode: 186460
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote TK8A65D(STA4,Q,M) nach Preis ab 1.52 EUR bis 4.52 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TK8A65D(STA4,Q,M) TK8A65D(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba 7AFC91BD87D1478287511E7EDD45FC99926A82690CF79050CC9801025A0F1ADE.pdf MOSFETs N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.44 EUR
10+2.25 EUR
100+2.11 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A65D(STA4,Q,M) TK8A65D(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TK8A65D_datasheet_en_20131101.pdf?did=22772&prodName=TK8A65D Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK8A65D(STA4,Q,M) TK8A65D(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba 134docget.jsppidtk8a65dlangentypedatasheet.jsppidtk8a65dlangentypeda.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH