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TMBT3904,LM(T

TMBT3904,LM(T Toshiba


14007019361616721400698883561457tmbt3904_datasheet_en_20180517.pdf.pdf Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 1000mW 3-Pin S-Mini T/R
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Technische Details TMBT3904,LM(T Toshiba

Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.2A; 0.32W; SOT23, Type of transistor: NPN, Polarisation: bipolar, Collector-emitter voltage: 50V, Collector current: 0.2A, Power dissipation: 0.32W, Case: SOT23, Current gain: 100...300, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Frequency: 300MHz, Anzahl je Verpackung: 51000 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
TMBT3904,LM(T TMBT3904,LM(T Hersteller : TOSHIBA TMBT3904.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.2A; 0.32W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 51000 Stücke
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TMBT3904,LM(T TMBT3904,LM(T Hersteller : TOSHIBA TMBT3904.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.2A; 0.32W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
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