TN0104N8-G Microchip Technology


-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005930a.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details TN0104N8-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN0104N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 630 mA, 2 ohm, TO-243AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-243AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TN0104, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TN0104N8-G TN0104N8-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005930a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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TN0104N8-G TN0104N8-G Microchip Technology TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 20 V
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TN0104N8-G TN0104N8-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005930a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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TN0104N8-G TN0104N8-G Microchip Technology TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf MOSFETs 40V 2Ohm
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25+2.12 EUR
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TN0104N8-G TN0104N8-G Microchip Technology TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 20 V
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TN0104N8-G TN0104N8-G MICROCHIP 4019770.pdf Description: MICROCHIP - TN0104N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 630 mA, 2 ohm, TO-243AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-243AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN0104
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 9041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
2000+1.7 EUR
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TN0104N8-G TN0104N8-G MICROCHIP 4019770.pdf Description: MICROCHIP - TN0104N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 630 mA, 2 ohm, TO-243AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-243AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN0104
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
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TN0104N8-G TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 20 V
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TN0104N8-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005930a.pdf
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.63A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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1500+2.14 EUR
4000+2.07 EUR
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MOSFETs 40V 2Ohm
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25+2.12 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TN0104N8-G TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 20 V
auf Bestellung 11560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.57 EUR
25+2.09 EUR
100+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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TN0104N8-G 4019770.pdf
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN0104N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 630 mA, 2 ohm, TO-243AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-243AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN0104
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 9041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.62 EUR
2000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN0104N8-G 4019770.pdf
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN0104N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 630 mA, 2 ohm, TO-243AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-243AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN0104
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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81+3.09 EUR
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TN0104N8-G TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH