TN0104N8-G Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 20 V
| Anzahl | Preis |
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| 2000+ | 1.63 EUR |
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Technische Details TN0104N8-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TN0104N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 630 mA, 2 ohm, TO-243AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: TO-243AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TN0104, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote TN0104N8-G nach Preis ab 1.63 EUR bis 2.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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TN0104N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 20 V |
auf Bestellung 2668 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TN0104N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFETs 40V 2Ohm |
auf Bestellung 2442 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TN0104N8-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN0104N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 630 mA, 2 ohm, TO-243AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: TO-243AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TN0104 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 9946 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN0104N8-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN0104N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 630 mA, 2 ohm, TO-243AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: TO-243AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TN0104 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 9946 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TN0104N8-G |
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