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TN0604N3-G

TN0604N3-G Microchip Technology

TN0604_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442275.pdf Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 40V 0.75Ohm
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Technische Details TN0604N3-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN0604N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 700 mA, 0.6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TN0604N3-G TN0604N3-G Hersteller : Microchip Technology TN0604-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005934A.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 20 V
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TN0604N3-G TN0604N3-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005934a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.7A 3-Pin TO-92 Bag
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TN0604N3-G TN0604N3-G Hersteller : MICROCHIP 2595637.pdf Description: MICROCHIP - TN0604N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 700 mA, 0.6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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TN0604N3-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY TN0604-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005934A.pdf TN0604N3-G THT N channel transistors
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TN0604N3-G TN0604N3-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005934a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.7A 3-Pin TO-92 Bag
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TN0604N3-G TN0604N3-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005934a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 0.7A 3-Pin TO-92 Bag
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