
TN0604N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 700mA; Idm: 4.6A; 740mW; TO92
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.74W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 4.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 628 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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49+ | 1.49 EUR |
54+ | 1.33 EUR |
65+ | 1.10 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
100+ | 1.02 EUR |
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Technische Details TN0604N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MICROCHIP - TN0604N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 700 mA, 0.6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote TN0604N3-G nach Preis ab 1.02 EUR bis 2.34 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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TN0604N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 700mA; Idm: 4.6A; 740mW; TO92 Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Drain-source voltage: 40V Drain current: 0.7A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.74W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 4.6A |
auf Bestellung 628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN0604N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
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auf Bestellung 1464 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TN0604N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 20 V |
auf Bestellung 2026 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN0604N3-G | Hersteller : MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 683 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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