Technische Details TN0606N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TN0606N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote TN0606N3-G nach Preis ab 1.44 EUR bis 2.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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TN0606N3-G | Microchip Technology |
 MOSFETs 60V 1.5Ohm |
auf Bestellung 4096 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TN0606N3-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Supplier Device Package: TO-92-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bag |
auf Bestellung 762 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TN0606N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN0606N3-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN0606N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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| TN0606N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 60V 1.5Ohm
MOSFETs 60V 1.5Ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.86 EUR |
| 10+ | 1.83 EUR |
| 25+ | 1.74 EUR |
| 100+ | 1.59 EUR |
| 250+ | 1.58 EUR |
| 1000+ | 1.51 EUR |
| TN0606N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
auf Bestellung 762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 1.9 EUR |
| 25+ | 1.61 EUR |
| 100+ | 1.44 EUR |
| TN0606N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 77+ | 2.3 EUR |
| 250+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.77 EUR |
| 1000+ | 1.7 EUR |
| 3000+ | 1.63 EUR |
| TN0606N3-G |
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN0606N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: MICROCHIP - TN0606N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)