TN0606N3-G Microchip Technology
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Technische Details TN0606N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TN0606N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote TN0606N3-G nach Preis ab 0.87 EUR bis 1.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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TN0606N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
 MOSFETs 60V 1.5Ohm |
auf Bestellung 4096 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TN0606N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V |
auf Bestellung 911 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TN0606N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN0606N3-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN0606N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TN0606N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
TN0606N3-G THT N channel transistors |
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TN0606N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag |
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TN0606N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TN0606N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag |
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