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TN0610N3-G-P003

TN0610N3-G-P003 MICROCHIP TECHNOLOGY

TN0610.pdf Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 500mA; Idm: 3.2A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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Technische Details TN0610N3-G-P003 MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V.

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TN0610N3-G-P003 TN0610N3-G-P003 Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY TN0610.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 500mA; Idm: 3.2A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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TN0610N3-G-P003 TN0610N3-G-P003 Hersteller : Microchip Technology TN0610_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-1901945.pdf MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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TN0610N3-G-P003 TN0610-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006418A.pdf
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TN0610N3-G-P003 Hersteller : Microchip Technology tn061020b080813.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
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Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
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