TN0620N3-G Microchip Technology
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Technische Details TN0620N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TN0620N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 250 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote TN0620N3-G nach Preis ab 1.33 EUR bis 2.73 EUR
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TN0620N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
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TN0620N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 250mA; Idm: 2A; 1W; TO92 Case: TO92 Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.25A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2A Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TN0620N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 250mA; Idm: 2A; 1W; TO92 Case: TO92 Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.25A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2A Mounting: THT |
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TN0620N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
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TN0620N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
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TN0620N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
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TN0620N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
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TN0620N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V |
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TN0620N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
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TN0620N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
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TN0620N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFETs 200V 6Ohm |
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TN0620N3-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN0620N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 250 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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TN0620N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag |
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