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TN0620N3-G

TN0620N3-G Microchip Technology

-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005936a.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details TN0620N3-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN0620N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 250 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TN0620N3-G TN0620N3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005936a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
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TN0620N3-G TN0620N3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005936a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
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TN0620N3-G TN0620N3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005936a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
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TN0620N3-G TN0620N3-G Microchip Technology TN0620-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005936A.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
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TN0620N3-G TN0620N3-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005936a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag
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TN0620N3-G TN0620N3-G Microchip Technology TN0620_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442111.pdf MOSFETs 200V 6Ohm
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TN0620N3-G TN0620N3-G MICROCHIP 2595653.pdf Description: MICROCHIP - TN0620N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 250 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
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Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
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Hersteller: MICROCHIP
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
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