TN2106N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 645 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 81+ | 0.89 EUR |
| 103+ | 0.69 EUR |
| 136+ | 0.53 EUR |
| 137+ | 0.52 EUR |
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Technische Details TN2106N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MICROCHIP - TN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 0.5 A, 2.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 0.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TN2106, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote TN2106N3-G nach Preis ab 0.52 EUR bis 1.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TN2106N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1A; 740mW; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1A |
auf Bestellung 645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN2106N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET 60V 2.5Ohm |
auf Bestellung 1123 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TN2106N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
auf Bestellung 943 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TN2106N3-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 0.5 A, 2.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TN2106 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 527 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN2106N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag |
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