Weitere Produktangebote TN2106N3-G nach Preis ab 0.84 EUR bis 1.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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TN2106N3-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1145 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TN2106N3-G | Microchip Technology |
MOSFETs 60V 2.5Ohm |
auf Bestellung 563 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TN2106N3-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 500 mA, 2.5 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 740mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TN2106 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm |
auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TN2106N3-G | Microchip Technology |
TN2106N3-G |
auf Bestellung 394 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TN2106N3-G | Microchip Technology |
TN2106N3-G |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TN2106N3-G | Microchip Technology |
TN2106N3-G |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TN2106N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 1145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 1.21 EUR |
| 25+ | 1 EUR |
| 100+ | 0.93 EUR |
| TN2106N3-G |
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Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 60V 2.5Ohm
MOSFETs 60V 2.5Ohm
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.23 EUR |
| TN2106N3-G |
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 500 mA, 2.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2106
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
Description: MICROCHIP - TN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 500 mA, 2.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2106
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 170+ | 1.48 EUR |
| 171+ | 1.37 EUR |
| 172+ | 1.25 EUR |
| TN2106N3-G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
TN2106N3-G
TN2106N3-G
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 154+ | 1.14 EUR |
| TN2106N3-G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
TN2106N3-G
TN2106N3-G
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 150+ | 1.18 EUR |
| 178+ | 0.98 EUR |
| 194+ | 0.88 EUR |
| TN2106N3-G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
TN2106N3-G
TN2106N3-G
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 150+ | 1.18 EUR |
| 178+ | 0.95 EUR |
| 194+ | 0.84 EUR |




