Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > TN2106N3-G

TN2106N3-G

TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf
Produktcode: 218558
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote TN2106N3-G nach Preis ab 0.86 EUR bis 1.48 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TN2106N3-G TN2106N3-G Microchip Technology TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 1145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
25+1 EUR
100+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2106N3-G TN2106N3-G Microchip Technology TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf MOSFETs 60V 2.5Ohm
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2106N3-G TN2106N3-G MICROCHIP 3216669.pdf Description: MICROCHIP - TN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 500 mA, 2.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2106
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.48 EUR
171+1.37 EUR
172+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2106N3-G TN2106N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1A; 740mW; TO92
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.74W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2106N3-G Microchip Technology TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf TN2106N3-G
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2106N3-G Microchip Technology TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf TN2106N3-G
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.19 EUR
178+0.99 EUR
194+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2106N3-G Microchip Technology TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf TN2106N3-G
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.19 EUR
178+0.96 EUR
194+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2106N3-G TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf
TN2106N3-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 1145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+1.21 EUR
25+1 EUR
100+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2106N3-G TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf
TN2106N3-G
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 60V 2.5Ohm
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2106N3-G 3216669.pdf
TN2106N3-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 500 mA, 2.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2106
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
170+1.48 EUR
171+1.37 EUR
172+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2106N3-G TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf
TN2106N3-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1A; 740mW; TO92
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.74W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2106N3-G TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf
Hersteller: Microchip Technology
TN2106N3-G
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
154+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2106N3-G TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf
Hersteller: Microchip Technology
TN2106N3-G
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
150+1.19 EUR
178+0.99 EUR
194+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2106N3-G TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf
Hersteller: Microchip Technology
TN2106N3-G
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
150+1.19 EUR
178+0.96 EUR
194+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH