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TN2130K1-G

TN2130K1-G Microchip Technology

TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET+Data-Sheet-DS20005944.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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Technische Details TN2130K1-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TN2130K1-G TN2130K1-G Microchip Technology TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET+Data-Sheet-DS20005944.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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30+0.71 EUR
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TN2130K1-G TN2130K1-G Microchip Technology TN2130_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_DS20005944.pdf MOSFETs 300V 25Ohm
auf Bestellung 5626 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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TN2130K1-G TN2130K1-G MICROCHIP 3099062.pdf Description: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 85mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 2909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
251+1 EUR
312+0.75 EUR
331+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 251 Stücke
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TN2130K1-G TN2130K1-G MICROCHIP TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET+Data-Sheet-DS20005944.pdf Description: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
251+1 EUR
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TN2130K1-G Supertex TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET+Data-Sheet-DS20005944.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 20V; 25Ohm; 85mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; TN2130K1-G TTN2130k1
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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TN2130K1-G Microchip Technology TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET+Data-Sheet-DS20005944.pdf Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.085A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
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TN2130K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 4.5V
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Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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MOSFETs 300V 25Ohm
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TN2130K1-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
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TN2130K1-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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251+1 EUR
312+0.75 EUR
331+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 251 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2130K1-G TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET+Data-Sheet-DS20005944.pdf
Hersteller: Supertex
Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 20V; 25Ohm; 85mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; TN2130K1-G TTN2130k1
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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TN2130K1-G TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET+Data-Sheet-DS20005944.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.085A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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