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Technische Details TN2130K1-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote TN2130K1-G nach Preis ab 0.59 EUR bis 0.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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TN2130K1-G | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: MOSFET N-CH 300V 85MA TO236ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
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TN2130K1-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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TN2130K1-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 360 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 592 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TN2130K1-G | Hersteller : Supertex |
Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 20V; 25Ohm; 85mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; TN2130K1-G TTN2130k1 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TN2130K1-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
TN2130K1-G SMD N channel transistors |
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TN2130K1-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
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