TN2130K1-G

TN2130K1-G Microchip Technology


TN2130_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442112.pdf Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 300V 25Ohm
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Technische Details TN2130K1-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TN2130K1-G TN2130K1-G Hersteller : Microchip Technology TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005944B.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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TN2130K1-G TN2130K1-G Hersteller : MICROCHIP 3099062.pdf Description: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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TN2130K1-G TN2130K1-G Hersteller : MICROCHIP TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005944B.pdf Description: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 360
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TN2130K1-G Hersteller : Supertex TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005944B.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 20V; 25Ohm; 85mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; TN2130K1-G TTN2130k1
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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Anzahl Preis
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TN2130K1-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005944B.pdf TN2130K1-G SMD N channel transistors
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TN2130K1-G TN2130K1-G Hersteller : Microchip Technology TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005944B.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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