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Technische Details TN2404K-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - TN2404K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 200 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote TN2404K-T1-GE3 nach Preis ab 0.41 EUR bis 1.65 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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TN2404K-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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TN2404K-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 240V 0.2A 0.36W 4.0ohms @ 10V |
auf Bestellung 15418 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TN2404K-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V |
auf Bestellung 2192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TN2404K-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - TN2404K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 200 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1054 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN2404K-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - TN2404K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 200 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1054 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN2404K-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN2404K-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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TN2404K-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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TN2404K-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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TN2404K-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V |
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TN2404K-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 240V; 0.16A; 0.23W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.16A Power dissipation: 0.23W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 4.87nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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