TN2510N8-G Microchip Technology
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| 2000+ | 1.26 EUR |
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Technische Details TN2510N8-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TN2510N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 730 mA, 1 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 730mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote TN2510N8-G nach Preis ab 1.02 EUR bis 4.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TN2510N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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TN2510N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 730mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
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TN2510N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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TN2510N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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TN2510N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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TN2510N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 730mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
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TN2510N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFETs 100V 1.5Ohm |
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TN2510N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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TN2510N8-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN2510N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 730 mA, 1 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 730mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TN2510N8-G | Hersteller : Microchip |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15Ohm; 730mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C; TN2510N8-G TTN2510n8 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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TN2510N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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TN2510N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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TN2510N8-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 730mA; Idm: 5A; 1.6W; SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 730mA Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 5A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TN2510N8-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 730mA; Idm: 5A; 1.6W; SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 730mA Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 5A |
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