TN2640K4-G Microchip Technology


TN2640-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005795A.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 500MA TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
auf Bestellung 34000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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Technische Details TN2640K4-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN2640K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TN2640 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TN2640K4-G TN2640K4-G MICROCHIP MCHP-S-A0011818535-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - TN2640K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2640 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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TN2640K4-G TN2640K4-G Microchip Technology TN2640-Data-Sheet-DS20005795.pdf MOSFETs 400V 5 Ohm
auf Bestellung 2718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.13 EUR
10+5.01 EUR
25+4.25 EUR
100+3.88 EUR
250+3.83 EUR
500+3.81 EUR
1000+3.8 EUR
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TN2640K4-G TN2640K4-G MICROCHIP MCHP-S-A0011818535-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - TN2640K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2640 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 1054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.12 EUR
50+4.74 EUR
100+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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TN2640K4-G TN2640K4-G Microchip Technology TN2640-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005795A.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 500MA TO252
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
auf Bestellung 34874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.48 EUR
25+15.02 EUR
100+12.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TN2640K4-G MCHP-S-A0011818535-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN2640K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2640 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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10+5.01 EUR
25+4.25 EUR
100+3.88 EUR
250+3.83 EUR
500+3.81 EUR
1000+3.8 EUR
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN2640K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2640 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 1054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.12 EUR
50+4.74 EUR
100+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2640K4-G TN2640-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005795A.pdf
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Description: MOSFET N-CH 400V 500MA TO252
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
auf Bestellung 34874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+20.48 EUR
25+15.02 EUR
100+12.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH