TN2640K4-G Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 500MA TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 3.37 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details TN2640K4-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TN2640K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TN2640 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote TN2640K4-G nach Preis ab 3.24 EUR bis 17.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TN2640K4-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFETs 400V 5 Ohm |
auf Bestellung 3008 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
TN2640K4-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 400V 500MA TO252 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V |
auf Bestellung 34874 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
TN2640K4-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN2640K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TN2640 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 1054 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |