TN5325K1-G Microchip Technology
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Technische Details TN5325K1-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TN5325K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 250 V, 150 mA, 7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote TN5325K1-G nach Preis ab 0.56 EUR bis 1.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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;;3.jpg "TN5325K1-G") |
TN5325K1-G | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: MOSFET N-CH 250V 150MA TO236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V |
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TN5325K1-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN5325K1-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN5325K1-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN5325K1-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFETs 250V 7Ohm |
auf Bestellung 20396 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TN5325K1-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 250V 150MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8322 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TN5325K1-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN5325K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 250 V, 150 mA, 7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN5325K1-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN5325K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 250 V, 150 mA, 7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TN5325K1-G | Hersteller : Supertex |
Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 8Ohm; 150mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; TN5325K1-G TTN5325k1 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TN5325K1-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
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TN5325K1-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R |
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