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TN5325K1-G

TN5325K1-G Microchip Technology

962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
182+0.96 EUR
207+0.83 EUR
216+0.77 EUR
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Technische Details TN5325K1-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN5325K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 250 V, 150 mA, 7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TN5325K1-G TN5325K1-G Microchip Technology 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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TN5325K1-G TN5325K1-G Microchip Technology 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.17 EUR
183+0.94 EUR
198+0.84 EUR
250+0.82 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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TN5325K1-G TN5325K1-G Microchip Technology 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.18 EUR
150+1.13 EUR
183+0.89 EUR
198+0.79 EUR
250+0.75 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN5325K1-G TN5325K1-G Microchip Technology 20005709A.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 150MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
auf Bestellung 3458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
25+1 EUR
100+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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TN5325K1-G TN5325K1-G Microchip Technology 20005709A.pdf MOSFETs 250V 7Ohm
auf Bestellung 20396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
25+1.01 EUR
100+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN5325K1-G TN5325K1-G MICROCHIP 20005709A.pdf Description: MICROCHIP - TN5325K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 250 V, 150 mA, 7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+1.61 EUR
188+1.24 EUR
203+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN5325K1-G TN5325K1-G MICROCHIP 20005709A.pdf Description: MICROCHIP - TN5325K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 250 V, 150 mA, 7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 250V
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+1.61 EUR
188+1.24 EUR
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TN5325K1-G Supertex 20005709A.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 8Ohm; 150mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; TN5325K1-G TTN5325k1
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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TN5325K1-G 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf
TN5325K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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TN5325K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
150+1.17 EUR
183+0.94 EUR
198+0.84 EUR
250+0.82 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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TN5325K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
148+1.18 EUR
150+1.13 EUR
183+0.89 EUR
198+0.79 EUR
250+0.75 EUR
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1000+0.67 EUR
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TN5325K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 250V 150MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
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Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
auf Bestellung 3458 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
18+1.21 EUR
25+1 EUR
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Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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TN5325K1-G
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 250V 7Ohm
auf Bestellung 20396 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3+1.23 EUR
25+1.01 EUR
100+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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TN5325K1-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN5325K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 250 V, 150 mA, 7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
156+1.61 EUR
188+1.24 EUR
203+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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TN5325K1-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN5325K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 250 V, 150 mA, 7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Bauform - Transistor: SOT-23
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
156+1.61 EUR
188+1.24 EUR
203+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN5325K1-G 20005709A.pdf
Hersteller: Supertex
Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 8Ohm; 150mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; TN5325K1-G TTN5325k1
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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25+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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