TN5325N3-G Microchip Technology
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 1.1 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details TN5325N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TN5325N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 215 mA, 7 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 215mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TN5325, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote TN5325N3-G nach Preis ab 0.66 EUR bis 1.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TN5325N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1443 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
TN5325N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFETs 250V 7Ohm |
auf Bestellung 4340 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
TN5325N3-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN5325N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 215 mA, 7 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 215mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TN5325 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 777 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
| TN5325N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
TN5325N3-G THT N channel transistors |
auf Bestellung 673 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
|
TN5325N3-G Produktcode: 183122
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||
 |
TN5325N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.215A 3-Pin TO-92 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
TN5325N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.215A 3-Pin TO-92 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |