TN5325N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 215mA; Idm: 0.8A; 740mW; TO92
Power dissipation: 0.74W
Kind of package: bulk
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 0.8A
On-state resistance: 7Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO92
Polarisation: unipolar
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| Anzahl | Preis |
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| 124+ | 0.58 EUR |
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Technische Details TN5325N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MICROCHIP - TN5325N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 215 mA, 7 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 215mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TN5325, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote TN5325N3-G nach Preis ab 0.8 EUR bis 1.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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TN5325N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.215A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN5325N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1443 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TN5325N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFETs 250V 7Ohm |
auf Bestellung 4188 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TN5325N3-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN5325N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 215 mA, 7 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 215mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TN5325 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 777 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN5325N3-G Produktcode: 183122
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TN5325N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.215A 3-Pin TO-92 Bag |
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