Produkte > MICROCHIP TECHNOLOGY > TN5325N3-G
TN5325N3-G

TN5325N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY

20005709A.pdf Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 215mA; Idm: 0.8A; 740mW; TO92
Kind of package: bulk
Case: TO92
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.215A
Power dissipation: 0.74W
Pulsed drain current: 0.8A
On-state resistance: 7Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
auf Bestellung 519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
98+0.73 EUR
112+0.64 EUR
115+0.62 EUR
122+0.59 EUR
125+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TN5325N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: MICROCHIP - TN5325N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 215 mA, 7 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 215mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TN5325, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote TN5325N3-G nach Preis ab 0.58 EUR bis 1.14 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TN5325N3-G TN5325N3-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 20005709A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 215mA; Idm: 0.8A; 740mW; TO92
Kind of package: bulk
Case: TO92
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.215A
Power dissipation: 0.74W
Pulsed drain current: 0.8A
On-state resistance: 7Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 519 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
98+0.73 EUR
112+0.64 EUR
115+0.62 EUR
122+0.59 EUR
125+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN5325N3-G TN5325N3-G Hersteller : Microchip Technology 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.215A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN5325N3-G TN5325N3-G Hersteller : Microchip Technology 20005709A.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
auf Bestellung 1443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.13 EUR
25+0.92 EUR
100+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN5325N3-G TN5325N3-G Hersteller : Microchip Technology 20005709A-3443272.pdf MOSFETs 250V 7Ohm
auf Bestellung 4330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.14 EUR
10+1.1 EUR
25+0.81 EUR
100+0.76 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN5325N3-G TN5325N3-G Hersteller : MICROCHIP 20005709A.pdf Description: MICROCHIP - TN5325N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 215 mA, 7 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 215mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN5325
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN5325N3-G
Produktcode: 183122
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

20005709A.pdf Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN5325N3-G TN5325N3-G Hersteller : Microchip Technology 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.215A 3-Pin TO-92 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN5325N3-G TN5325N3-G Hersteller : Microchip Technology 962filehandler.aspxddocnameen570669.aspxddocnameen570669.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.215A 3-Pin TO-92 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH