TN5325N3-G Microchip Technology
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Technische Details TN5325N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TN5325N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 215 mA, 7 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 215, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 740, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740, Bauform - Transistor: TO-92, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: TN5325, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 7, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote TN5325N3-G nach Preis ab 0.72 EUR bis 2.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TN5325N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V |
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TN5325N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET 250V 7Ohm |
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TN5325N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 215mA; Idm: 0.8A; 740mW; TO92 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.74W Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.8A Mounting: THT Case: TO92 Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.215A On-state resistance: 7Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TN5325N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 215mA; Idm: 0.8A; 740mW; TO92 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.74W Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.8A Mounting: THT Case: TO92 Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.215A On-state resistance: 7Ω Type of transistor: N-MOSFET |
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TN5325N3-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN5325N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 215 mA, 7 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 215 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 740 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 740 Bauform - Transistor: TO-92 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TN5325 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 7 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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TN5325N3-G Produktcode: 183122 |
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 |
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TN5325N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.215A 3-Pin TO-92 Bag |
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TN5325N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.215A 3-Pin TO-92 Bag |
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