TN5325N3-G
Produktcode: 183122
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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TN5325N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.215A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 414 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN5325N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1443 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TN5325N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFETs 250V 7Ohm |
auf Bestellung 4174 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TN5325N3-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN5325N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 215 mA, 7 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 215mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TN5325 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 637 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |