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TN5335K1-G

TN5335K1-G Microchip Technology

TN5335B081213.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
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Technische Details TN5335K1-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN5335K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 350 V, 110 mA, 15 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 350V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm.

Weitere Produktangebote TN5335K1-G nach Preis ab 1.39 EUR bis 2.21 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TN5335K1-G TN5335K1-G Microchip Technology TN5335B081213.pdf Description: MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
auf Bestellung 4884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
25+1.52 EUR
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Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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TN5335K1-G TN5335K1-G MICROCHIP TN5335B081213.pdf Description: MICROCHIP - TN5335K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 350 V, 110 mA, 15 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.21 EUR
137+1.7 EUR
149+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
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TN5335K1-G TN5335K1-G MICROCHIP TN5335B081213.pdf Description: MICROCHIP - TN5335K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 350 V, 110 mA, 15 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.21 EUR
137+1.7 EUR
149+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
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TN5335K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
auf Bestellung 4884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+1.82 EUR
25+1.52 EUR
100+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN5335K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 350 V, 110 mA, 15 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TN5335K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 350 V, 110 mA, 15 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
114+2.21 EUR
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