TP0610T-G Microchip Technology
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Technische Details TP0610T-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TP0610T-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote TP0610T-G nach Preis ab 0.60 EUR bis 1.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TP0610T-G | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
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TP0610T-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
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TP0610T-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 60V 120MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
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TP0610T-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFETs -60V 100hm |
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TP0610T-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 60V 120MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TP0610T-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TP0610T-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.05A; SOT23-3 Case: SOT23-3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -60V On-state resistance: 10Ω Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -0.05A |
auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TP0610T-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TP0610T-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TP0610T-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TP0610T-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TP0610T-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TP0610T-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
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TP0610T-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
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