Produkte > MICROCHIP TECHNOLOGY > TP0610T-G
TP0610T-G

TP0610T-G Microchip Technology

-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005701b.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
174+1 EUR
192+0.89 EUR
194+0.87 EUR
250+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TP0610T-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TP0610T-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm.

Weitere Produktangebote TP0610T-G nach Preis ab 0.76 EUR bis 1.99 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TP0610T-G TP0610T-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005701b.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+1.01 EUR
174+0.96 EUR
192+0.84 EUR
194+0.8 EUR
250+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610T-G TP0610T-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005701b.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610T-G TP0610T-G Microchip Technology TP0610T-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005701B.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 120MA TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610T-G TP0610T-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005701b.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.43 EUR
1000+1.39 EUR
3000+1.36 EUR
6000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610T-G TP0610T-G Microchip Technology TP0610T-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005701B.pdf MOSFETs -60V 100hm
auf Bestellung 6276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.65 EUR
25+1.39 EUR
100+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610T-G TP0610T-G Microchip Technology TP0610T-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005701B.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 120MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 7286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
25+1.38 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610T-G TP0610T-G MICROCHIP 2595641.pdf Description: MICROCHIP - TP0610T-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
auf Bestellung 4951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.98 EUR
152+1.54 EUR
164+1.31 EUR
3000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610T-G TP0610T-G MICROCHIP 2595641.pdf Description: MICROCHIP - TP0610T-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
auf Bestellung 4951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.98 EUR
152+1.54 EUR
164+1.31 EUR
3000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610T-G TP0610T-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005701b.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610T-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005701b.pdf
TP0610T-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
172+1.01 EUR
174+0.96 EUR
192+0.84 EUR
194+0.8 EUR
250+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610T-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005701b.pdf
TP0610T-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610T-G TP0610T-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005701B.pdf
TP0610T-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 120MA TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610T-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005701b.pdf
TP0610T-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+1.43 EUR
1000+1.39 EUR
3000+1.36 EUR
6000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610T-G TP0610T-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005701B.pdf
TP0610T-G
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs -60V 100hm
auf Bestellung 6276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.65 EUR
25+1.39 EUR
100+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610T-G TP0610T-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005701B.pdf
TP0610T-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 120MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 7286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+1.65 EUR
25+1.38 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610T-G 2595641.pdf
TP0610T-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TP0610T-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
auf Bestellung 4951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
127+1.98 EUR
152+1.54 EUR
164+1.31 EUR
3000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610T-G 2595641.pdf
TP0610T-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TP0610T-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
auf Bestellung 4951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
127+1.98 EUR
152+1.54 EUR
164+1.31 EUR
3000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP0610T-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005701b.pdf
TP0610T-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH