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TP2104K1-G

TP2104K1-G Microchip Technology

TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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Technische Details TP2104K1-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TP2104K1-G TP2104K1-G Microchip Technology TP2104_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20005958A.pdf MOSFETs 40V 6Ohm
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TP2104K1-G TP2104K1-G Microchip Technology TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 45934 Stücke:
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15+1.44 EUR
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Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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TP2104K1-G TP2104K1-G MICROCHIP TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.74 EUR
169+1.38 EUR
191+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
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TP2104K1-G TP2104K1-G MICROCHIP TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
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TP2104K1-G TP2104K1-G MICROCHIP TECHNOLOGY TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -160mA; Idm: -0.8A; 360mW
Mounting: SMD
Drain current: -0.16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-3
On-state resistance: 6Ω
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Pulsed drain current: -0.8A
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 3024 Stücke:
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TP2104K1-G
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 40V 6Ohm
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TP2104K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 45934 Stücke:
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TP2104K1-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
144+1.74 EUR
169+1.38 EUR
191+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
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TP2104K1-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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144+1.74 EUR
169+1.38 EUR
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -160mA; Idm: -0.8A; 360mW
Mounting: SMD
Drain current: -0.16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-3
On-state resistance: 6Ω
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Pulsed drain current: -0.8A
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
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Hersteller: Microchip Technology
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Hersteller: Microchip Technology
TP2104K1-G
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163+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
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TP2104K1-G TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf
Hersteller: Microchip Technology
TP2104K1-G
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
500+1.18 EUR
1000+1.15 EUR
3000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP2104K1-G TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf
Hersteller: Microchip Technology
TP2104K1-G
auf Bestellung 3024 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
134+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Microchip Technology
TP2104K1-G
auf Bestellung 77 Stücke:
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Hersteller: Microchip Technology
TP2104K1-G
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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