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TP2104K1-G

TP2104K1-G Microchip Technology

-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
194+0.88 EUR
203+0.82 EUR
209+0.79 EUR
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Technische Details TP2104K1-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TP2104K1-G TP2104K1-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 427 Stücke:
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192+0.89 EUR
194+0.84 EUR
203+0.77 EUR
209+0.73 EUR
250+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
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TP2104K1-G TP2104K1-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 682 Stücke:
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162+1.05 EUR
174+0.96 EUR
183+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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TP2104K1-G TP2104K1-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 682 Stücke:
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174+0.94 EUR
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Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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TP2104K1-G TP2104K1-G Microchip Technology TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
FET Type: P-Channel
auf Bestellung 45000 Stücke:
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TP2104K1-G TP2104K1-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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500+1.2 EUR
1000+1.18 EUR
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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TP2104K1-G TP2104K1-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3024 Stücke:
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134+1.27 EUR
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TP2104K1-G TP2104K1-G Microchip Technology TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf MOSFETs 40V 6Ohm
auf Bestellung 4668 Stücke:
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3+1.46 EUR
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TP2104K1-G TP2104K1-G Microchip Technology TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
auf Bestellung 47145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
25+1.26 EUR
100+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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TP2104K1-G TP2104K1-G MICROCHIP 2337821.pdf Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TP2104K1-G TP2104K1-G MICROCHIP 2337821.pdf Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 5 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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TP2104K1-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
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AnzahlPrivatkunde
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194+0.84 EUR
203+0.77 EUR
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250+0.7 EUR
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Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
162+1.05 EUR
174+0.96 EUR
183+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
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174+0.94 EUR
183+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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TP2104K1-G TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf
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Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
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FET Type: P-Channel
auf Bestellung 45000 Stücke:
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Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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500+1.2 EUR
1000+1.18 EUR
3000+1.14 EUR
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Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3024 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 134 Stücke
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3+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 40V 160MA TO236AB
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
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15+1.49 EUR
25+1.26 EUR
100+1.12 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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TP2104K1-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 5 Stücke:
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TP2104K1-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TP2104K1-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 160 mA, 6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 5 Stücke:
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