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TP2104N3-G

TP2104N3-G Microchip Technology

-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details TP2104N3-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TP2104N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 175 mA, 6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 175mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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TP2104N3-G TP2104N3-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -175mA; Idm: -1A; 740mW; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -175mA
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
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82+0.87 EUR
91+0.79 EUR
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TP2104N3-G TP2104N3-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
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1000+0.94 EUR
3000+0.90 EUR
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Mindestbestellmenge: 135
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TP2104N3-G TP2104N3-G Hersteller : Microchip Technology TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 1130 Stücke:
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Anzahl Preis
14+1.27 EUR
25+1.04 EUR
100+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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TP2104N3-G TP2104N3-G Hersteller : Microchip Technology TP2104_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442276.pdf MOSFETs 40V 6Ohm
auf Bestellung 2734 Stücke:
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3+1.30 EUR
25+1.07 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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TP2104N3-G TP2104N3-G Hersteller : MICROCHIP 2337821.pdf Description: MICROCHIP - TP2104N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 175 mA, 6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TP2104N3-G TP2104N3-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005958a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
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