TP2510N8-G MICROCHIP
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TP2510N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 480 mA, 2 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
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Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
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Technische Details TP2510N8-G MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TP2510N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 480 mA, 2 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 480mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote TP2510N8-G nach Preis ab 2.87 EUR bis 2.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TP2510N8-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TP2510N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 480 mA, 2 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 480mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 2618 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TP2510N8-G | Hersteller : Microchip |
P-MOSFET 100V 480mA 3.5mΩ 1.6W TP2510N8-G Microchip Tech TTP2510n8 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TP2510N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TP2510N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| TP2510N8-G | Hersteller : Supertex |
P-канальный ПТ... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-89 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| TP2510N8-G | Hersteller : Supertex |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TP2510N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 100V 480MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
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TP2510N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 100V 480MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
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TP2510N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFETs 100V 3.5Ohm |
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