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TP2535N3-G

TP2535N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY

TP2535-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005971A.pdf Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -350V; -86mA; Idm: -0.6A; 740mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -350V
Drain current: -86mA
Pulsed drain current: -0.6A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
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Technische Details TP2535N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: MOSFET P-CH 350V 86MA TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 740mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TP2535N3-G TP2535N3-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005971a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 350V 0.086A 3-Pin TO-92 Bag
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TP2535N3-G TP2535N3-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005971a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 350V 0.086A 3-Pin TO-92 Bag
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TP2535N3-G TP2535N3-G Hersteller : Microchip Technology TP2535_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442526.pdf MOSFETs 350V 25Ohm
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TP2535N3-G TP2535N3-G Hersteller : Microchip Technology TP2535-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005971A.pdf Description: MOSFET P-CH 350V 86MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
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TP2535N3-G TP2535N3-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005971a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 350V 0.086A 3-Pin TO-92 Bag
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