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Technische Details TP5322N8-G Microchip Technology
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.7A; 1.6W; SOT89-3, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -220V, Pulsed drain current: -0.7A, Power dissipation: 1.6W, Case: SOT89-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 12Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote TP5322N8-G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TP5322N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET P-CH Si 220V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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TP5322N8-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.7A; 1.6W; SOT89-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -220V Pulsed drain current: -0.7A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TP5322N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3 |
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TP5322N8-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.7A; 1.6W; SOT89-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -220V Pulsed drain current: -0.7A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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