Produkte > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > TP65H015G5WS
TP65H015G5WS

TP65H015G5WS Renesas Electronics Corporation

TP65H015G5WS_1v0-1.pdf
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: 650 V 95 A GAN FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5218 pF @ 400 V
auf Bestellung 356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+35.32 EUR
30+22.39 EUR
120+19.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TP65H015G5WS Renesas Electronics Corporation

Description: 650 V 95 A GAN FET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 266W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5218 pF @ 400 V.

Weitere Produktangebote TP65H015G5WS nach Preis ab 32.56 EUR bis 53.86 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TP65H015G5WS TP65H015G5WS Renesas Electronics REN_TP65H015G5WS_DST_20230317.pdf GaN FETs GAN FET 650V 95A TO2 47
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.82 EUR
10+32.7 EUR
120+32.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H015G5WS TP65H015G5WS Transphorm 027_TP65H015G5WS_2v0-2448878.pdf GaN FETs GAN FET 650V 95A TO2 47
auf Bestellung 711 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.86 EUR
30+35.31 EUR
120+35.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H015G5WS REN_TP65H015G5WS_DST_20230317.pdf
TP65H015G5WS
Hersteller: Renesas Electronics
GaN FETs GAN FET 650V 95A TO2 47
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+48.82 EUR
10+32.7 EUR
120+32.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H015G5WS 027_TP65H015G5WS_2v0-2448878.pdf
TP65H015G5WS
Hersteller: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 95A TO2 47
auf Bestellung 711 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+53.86 EUR
30+35.31 EUR
120+35.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH