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TP65H030G4PQS-TR

TP65H030G4PQS-TR Renesas Electronics


REN_TP65H030G4PQS_DST_20250516-3676147.pdf Hersteller: Renesas Electronics
GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
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Technische Details TP65H030G4PQS-TR Renesas Electronics

Description: RENESAS - TP65H030G4PQS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 55.7 A, 0.041 ohm, 24.5 nC, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 24.5nC, Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TP65H030G4PQS-TR TP65H030G4PQS-TR Hersteller : RENESAS Description: RENESAS - TP65H030G4PQS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 55.7 A, 0.041 ohm, 24.5 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Ladung, typ.: 24.5nC
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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TP65H030G4PQS-TR TP65H030G4PQS-TR Hersteller : RENESAS Description: RENESAS - TP65H030G4PQS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 55.7 A, 0.041 ohm, 24.5 nC, TOLL, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 24.5nC
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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