TP65H030G4PWS Renesas Electronics
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 15.68 EUR |
| 10+ | 12.28 EUR |
| 100+ | 10.23 EUR |
| 480+ | 9.12 EUR |
| 1200+ | 8.11 EUR |
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Technische Details TP65H030G4PWS Renesas Electronics
Description: RENESAS - TP65H030G4PWS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 55.7 A, 0.041 ohm, 24.5 nC, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 24.5nC, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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TP65H030G4PWS | Hersteller : RENESAS |
 Description: RENESAS - TP65H030G4PWS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 55.7 A, 0.041 ohm, 24.5 nC, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 24.5nC Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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