Technische Details TP65H030G4PYS Renesas Electronics Corporation
Description: 650V, 30MOHM GAN FET IN TO247-4L.
Weitere Produktangebote TP65H030G4PYS
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| TP65H030G4PYS | Renesas Electronics | GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-4L |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 960 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TP65H030G4PYS |
Hersteller: Renesas Electronics
GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-4L
GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-4L
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