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Technische Details TP65H050G4YS Transphorm
Description: TRANSPHORM - TP65H050G4YS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 35 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 16nC, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.
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| TP65H050G4YS | Hersteller : TRANSPHORM |
 Description: TRANSPHORM - TP65H050G4YS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 35 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 16nC Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
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