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TP65H070G4LSG-TR

TP65H070G4LSG-TR Renesas Electronics

REN_TP65H070G4LSG_DST_20230824.pdf
Hersteller: Renesas Electronics
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
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Technische Details TP65H070G4LSG-TR Renesas Electronics

Description: RENESAS - TP65H070G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 8.4nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TP65H070G4LSG-TR TP65H070G4LSG-TR Renesas Electronics Corporation datasheet-tp65h070g4lsg Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Ladung, typ.: 8.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
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Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
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Hersteller: RENESAS
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Description: RENESAS - TP65H070G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage
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