TP65H070G4LSG-TR Renesas Electronics
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 15.33 EUR |
| 10+ | 10.42 EUR |
| 100+ | 7.66 EUR |
| 500+ | 7.52 EUR |
| 1000+ | 6.89 EUR |
| 3000+ | 6.37 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
10-14 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details TP65H070G4LSG-TR Renesas Electronics
Description: RENESAS - TP65H070G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 8.4nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm.
Weitere Produktangebote TP65H070G4LSG-TR nach Preis ab 9.88 EUR bis 18.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP65H070G4LSG-TR | RENESAS |
 Description: RENESAS - TP65H070G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 8.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm |
auf Bestellung 468 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
TP65H070G4LSG-TR | RENESAS |
Description: RENESAS - TP65H070G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 8.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm |
auf Bestellung 468 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| TP65H070G4LSG-TR |
|
Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H070G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 8.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
Description: RENESAS - TP65H070G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 8.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 18.29 EUR |
| 17+ | 14.27 EUR |
| 21+ | 10.66 EUR |
| 50+ | 10.41 EUR |
| 100+ | 10.13 EUR |
| 250+ | 9.88 EUR |
| TP65H070G4LSG-TR |
|
Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H070G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 8.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
Description: RENESAS - TP65H070G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 8.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 18.29 EUR |
| 17+ | 14.27 EUR |
| 21+ | 10.66 EUR |
| 50+ | 10.41 EUR |
| 100+ | 10.13 EUR |
| 250+ | 9.88 EUR |