TP65H070G4LSGB-TR Renesas Electronics Corporation
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 700µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 12.51 EUR |
| 10+ | 8.5 EUR |
| 100+ | 6.22 EUR |
| 500+ | 6.09 EUR |
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Technische Details TP65H070G4LSGB-TR Renesas Electronics Corporation
Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 700µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V.
Weitere Produktangebote TP65H070G4LSGB-TR nach Preis ab 5.24 EUR bis 16.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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TP65H070G4LSGB-TR | Renesas Electronics |
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN |
auf Bestellung 2446 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TP65H070G4LSGB-TR | Transphorm |
GaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8 |
auf Bestellung 2821 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TP65H070G4LSGB-TR | RENESAS |
Description: RENESAS - TP65H070G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 8.4nC Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 368 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TP65H070G4LSGB-TR |
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Hersteller: Renesas Electronics
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
auf Bestellung 2446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 12.65 EUR |
| 10+ | 8.59 EUR |
| 100+ | 6.32 EUR |
| 500+ | 6.16 EUR |
| 1000+ | 5.65 EUR |
| 3000+ | 5.24 EUR |
| TP65H070G4LSGB-TR |
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Hersteller: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8
GaN FETs GAN FET 650V 29A QFN8x8
auf Bestellung 2821 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 16.56 EUR |
| 10+ | 11.95 EUR |
| 100+ | 9.56 EUR |
| TP65H070G4LSGB-TR |
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Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H070G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8.4nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: RENESAS - TP65H070G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8.4nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH