TP65H070G4RS-TR Renesas Electronics Corporation
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: 650 V 29 A GAN FET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TOLT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 12.76 EUR |
| 10+ | 8.68 EUR |
| 100+ | 6.36 EUR |
| 500+ | 6.25 EUR |
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Technische Details TP65H070G4RS-TR Renesas Electronics Corporation
Description: 650 V 29 A GAN FET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA, Supplier Device Package: TOLT, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 638 pF @ 400 V.
Weitere Produktangebote TP65H070G4RS-TR nach Preis ab 7.83 EUR bis 14.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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TP65H070G4RS-TR | Transphorm |
GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLT |
auf Bestellung 1835 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TP65H070G4RS-TR | RENESAS |
Description: RENESAS - TP65H070G4RS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 9 nC, TOLT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 9nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TOLT Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm |
auf Bestellung 1112 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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TP65H070G4RS-TR | RENESAS |
Description: RENESAS - TP65H070G4RS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 9 nC, TOLT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 9nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TOLT Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm |
auf Bestellung 1112 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TP65H070G4RS-TR |
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Hersteller: Transphorm
GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLT
GaN FETs GaN FET 650 V 29A TOLT
auf Bestellung 1835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 14.15 EUR |
| 10+ | 10.14 EUR |
| 100+ | 7.83 EUR |
| TP65H070G4RS-TR |
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Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H070G4RS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 9 nC, TOLT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 9nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLT
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
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auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| TP65H070G4RS-TR |
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Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H070G4RS-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 9 nC, TOLT, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)