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TP65H150G4PS

TP65H150G4PS Renesas Electronics Corporation

datasheet-tp65h150g4ps-650v-gan-fet
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: GAN FET N-CH 650V TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
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Technische Details TP65H150G4PS Renesas Electronics Corporation

Description: GAN FET N-CH 650V TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TP65H150G4PS TP65H150G4PS Renesas Electronics datasheet-tp65h150g4ps-650v-gan-fet GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
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TP65H150G4PS TP65H150G4PS Transphorm REN_TP65H150G4PS_DST_20230822-2900652.pdf GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
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TP65H150G4PS TP65H150G4PS RENESAS 4156857.pdf Description: RENESAS - TP65H150G4PS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, 8 nC, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8nC
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TP65H150G4PS datasheet-tp65h150g4ps-650v-gan-fet
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Hersteller: Renesas Electronics
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
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TP65H150G4PS
Hersteller: Transphorm
GaN FETs GAN FET 650V 13A TO220
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TP65H150G4PS 4156857.pdf
TP65H150G4PS
Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H150G4PS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, 8 nC, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
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Gate-Ladung, typ.: 8nC
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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