Produkte > TRANSPHORM > TP65H300G4LSG-TR
TP65H300G4LSG-TR

TP65H300G4LSG-TR Transphorm


TP65H300G4LSG_v1.2-2.pdf Hersteller: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TP65H300G4LSG-TR Transphorm

Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V, Power Dissipation (Max): 21W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA, Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, Vgs (Max): ±18V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V.

Weitere Produktangebote TP65H300G4LSG-TR nach Preis ab 2.76 EUR bis 7.88 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG-TR Hersteller : Transphorm REN_TP65H300G4LSG_DST_20240813-1838764.pdf GaN FETs 650V, 240mOhm
auf Bestellung 493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.56 EUR
10+4.56 EUR
100+3.36 EUR
500+2.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG-TR Hersteller : Renesas Electronics TP65H300G4LSG_v1.2-2.pdf GaN FETs 650V, 240mOhm
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.22 EUR
10+4.88 EUR
100+3.47 EUR
500+3.04 EUR
1000+2.94 EUR
3000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG-TR Hersteller : Transphorm TP65H300G4LSG_v1.2-2.pdf Description: GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 312mOhm @ 5A, 8V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
auf Bestellung 6351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.88 EUR
10+5.08 EUR
100+3.61 EUR
500+2.99 EUR
1000+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG-TR Hersteller : RENESAS 4156859.pdf Description: RENESAS - TP65H300G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 6.5 A, 0.312 ohm, 9.6 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.6nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP65H300G4LSG-TR TP65H300G4LSG-TR Hersteller : RENESAS 4156859.pdf Description: RENESAS - TP65H300G4LSG-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 6.5 A, 0.312 ohm, 9.6 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.6nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH