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Technische Details TP86R203NL,LQ(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TP86R203NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TP86R203NL,LQ(S nach Preis ab 0.38 EUR bis 0.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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TP86R203NL,LQ(S | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin SOP T/R |
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TP86R203NL,LQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TP86R203NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm SVHC: To Be Advised |
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TP86R203NL,LQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TP86R203NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm SVHC: To Be Advised |
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| TP86R203NL,LQ(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin SOP T/R |
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