TPH11006NL,LQ(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 34W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Power dissipation: 34W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5495 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 68+ | 1.06 EUR |
| 139+ | 0.51 EUR |
| 158+ | 0.45 EUR |
| 168+ | 0.43 EUR |
| 176+ | 0.41 EUR |
| 178+ | 0.4 EUR |
| 500+ | 0.39 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details TPH11006NL,LQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0096 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 34W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0096ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm.
Weitere Produktangebote TPH11006NL,LQ(S nach Preis ab 0.39 EUR bis 1.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPH11006NL,LQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 34W; SOP8A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17A Power dissipation: 34W Case: SOP8A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 5495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
TPH11006NL,LQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0096 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm |
auf Bestellung 50242 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
TPH11006NL,LQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0096 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 34W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0096ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm |
auf Bestellung 50242 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |