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TPH1R204PL1,LQ транзистор

Produktcode: 210299
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Transistoren > MOSFET N-CH

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TPH1R204PL1,LQ TPH1R204PL1,LQ Hersteller : Toshiba TPH1R204PL1_datasheet_en_20200626-2449268.pdf MOSFETs UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.24mohm(max)
auf Bestellung 4593 Stücke:
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TPH1R204PL1,LQ TPH1R204PL1,LQ Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R204PL1_datasheet_en_20200626.pdf?did=69120&prodName=TPH1R204PL1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
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TPH1R204PL1,LQ TPH1R204PL1,LQ Hersteller : Toshiba tph1r204pl1_datasheet_en_20200626.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
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TPH1R204PL1,LQ Hersteller : Toshiba TPH1R204PL1_datasheet_en_20200626.pdf?did=69120&prodName=TPH1R204PL1 UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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TPH1R204PL1,LQ TPH1R204PL1,LQ Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R204PL1_datasheet_en_20200626.pdf?did=69120&prodName=TPH1R204PL1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
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