TPH1R306P1,L1Q(M TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 260A
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.68 EUR |
| 500+ | 2.27 EUR |
| 1000+ | 2.23 EUR |
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Technische Details TPH1R306P1,L1Q(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 260A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 170W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm.
Weitere Produktangebote TPH1R306P1,L1Q(M nach Preis ab 1.7 EUR bis 6.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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TPH1R306P1,L1Q(M | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance |
auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TPH1R306P1,L1Q(M | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance |
auf Bestellung 1097 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TPH1R306P1,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 260A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 170W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm |
auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TPH1R306P1,L1Q(M |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 54+ | 3.31 EUR |
| 61+ | 2.89 EUR |
| 74+ | 2.31 EUR |
| TPH1R306P1,L1Q(M |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 1097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 42+ | 4.27 EUR |
| 65+ | 2.69 EUR |
| 100+ | 2.12 EUR |
| 500+ | 1.94 EUR |
| 1000+ | 1.7 EUR |
| TPH1R306P1,L1Q(M |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 260A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
Description: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 37+ | 6.9 EUR |
| 56+ | 4.18 EUR |
| 100+ | 2.68 EUR |
| 500+ | 2.27 EUR |
| 1000+ | 2.23 EUR |