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TPH1R712MD,L1Q(M

TPH1R712MD,L1Q(M Toshiba

tph1r712md_datasheet_en_20191030.pdf
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
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Technische Details TPH1R712MD,L1Q(M Toshiba

Description: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1700 µohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 78W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TPH1R712MD,L1Q(M TPH1R712MD,L1Q(M Toshiba tph1r712md_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
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TPH1R712MD,L1Q(M TPH1R712MD,L1Q(M TOSHIBA 3621105.pdf Description: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1700 µohm, SOP, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 78W
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Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 2395 Stücke:
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41+6.09 EUR
61+3.81 EUR
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1000+2.08 EUR
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1700 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1700 µohm, SOP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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