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TPH1R712MD,L1Q(M

TPH1R712MD,L1Q(M Toshiba


tph1r712md_datasheet_en_20191030.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
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Technische Details TPH1R712MD,L1Q(M Toshiba

Description: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.00135 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Anzahl der Pins: 8Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TPH1R712MD,L1Q(M TPH1R712MD,L1Q(M Hersteller : TOSHIBA 3621105.pdf Description: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.00135 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm
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TPH1R712MD,L1Q(M TPH1R712MD,L1Q(M Hersteller : TOSHIBA 3621105.pdf Description: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.00135 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm
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TPH1R712MD,L1Q(M TPH1R712MD,L1Q(M Hersteller : Toshiba tph1r712md_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
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