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TPH2R608NH,L1Q(M

TPH2R608NH,L1Q(M Toshiba

tph2r608nh_datasheet_en_20191018.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
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Technische Details TPH2R608NH,L1Q(M Toshiba

Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 0.0021 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 142W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 142W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm.

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TPH2R608NH,L1Q(M TPH2R608NH,L1Q(M Hersteller : Toshiba tph2r608nh_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
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TPH2R608NH,L1Q(M TPH2R608NH,L1Q(M Hersteller : Toshiba tph2r608nh_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
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TPH2R608NH,L1Q(M TPH2R608NH,L1Q(M Hersteller : TOSHIBA 3622632.pdf Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 0.0021 ohm, SOP, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 75V
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 142W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
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TPH2R608NH,L1Q(M TPH2R608NH,L1Q(M Hersteller : TOSHIBA 3622632.pdf Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 0.0021 ohm, SOP, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
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