| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 354+ | 0.5 EUR |
| 363+ | 0.48 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
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Technische Details TPH2R903PL,L1Q(M Toshiba
Description: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 2100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 124A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, Verlustleistung: 81W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm.
Weitere Produktangebote TPH2R903PL,L1Q(M nach Preis ab 1.2 EUR bis 7.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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TPH2R903PL,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 2100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 124A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 81W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm |
auf Bestellung 1991 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TPH2R903PL,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 2100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 124A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 81W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm |
auf Bestellung 1991 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TPH2R903PL,L1Q(M |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 2100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
Description: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 2100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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auf Bestellung 1991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.02 EUR |
| 115+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| 1000+ | 1.2 EUR |
| TPH2R903PL,L1Q(M |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 2100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: SOP Advance
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Produktpalette: U-MOSIX-H Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
Description: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 2100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
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Produktpalette: U-MOSIX-H Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
auf Bestellung 1991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 33+ | 7.62 EUR |
| 77+ | 3.02 EUR |
| 115+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| 1000+ | 1.2 EUR |