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TPH4R008QM,LQ

TPH4R008QM,LQ Toshiba

tph4r008qm_datasheet_en_20200221.pdf
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 80V 86A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
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Technische Details TPH4R008QM,LQ Toshiba

Description: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TPH4R008QM,LQ TPH4R008QM,LQ Toshiba tph4r008qm_datasheet_en_20200221.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 86A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
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TPH4R008QM,LQ TPH4R008QM,LQ Toshiba BFFA214E97EB814EEB8244F93D6854B3ABB42B993667B3F757CD45398A82E338.pdf MOSFETs SOP8 N-CH 80V 86A
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TPH4R008QM,LQ TPH4R008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68914&prodName=TPH4R008QM Description: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
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