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TPH4R10ANL,L1Q(M TOSHIBA


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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 3300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 67W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 67W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 4134 Stücke:
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Technische Details TPH4R10ANL,L1Q(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 3300 µohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 67W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 67W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TPH4R10ANL,L1Q(M TPH4R10ANL,L1Q(M Toshiba tph4r10anl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 1978 Stücke:
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TPH4R10ANL,L1Q(M TPH4R10ANL,L1Q(M Toshiba tph4r10anl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 67W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
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AnzahlPrivatkunde
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 1978 Stücke:
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Description: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 3300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 67W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
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