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Technische Details TPH4R803PL,LQ(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TPH4R803PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 3600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, Verlustleistung: 69W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm.
Weitere Produktangebote TPH4R803PL,LQ(S nach Preis ab 0.75 EUR bis 3.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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TPH4R803PL,LQ(S | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin SOP Advance |
auf Bestellung 2642 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TPH4R803PL,LQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH4R803PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 3600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 69W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm |
auf Bestellung 2984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TPH4R803PL,LQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH4R803PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 3600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 69W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm |
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| TPH4R803PL,LQ(S |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin SOP Advance
Trans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin SOP Advance
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| TPH4R803PL,LQ(S |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R803PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 3600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
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Produktpalette: U-MOSIX-H Series
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usEccn: EAR99
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
Description: TOSHIBA - TPH4R803PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 3600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
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Produktpalette: U-MOSIX-H Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
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| 136+ | 1.71 EUR |
| 193+ | 1.12 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.75 EUR |
| TPH4R803PL,LQ(S |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R803PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 3600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
Description: TOSHIBA - TPH4R803PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 3600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
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Produktpalette: U-MOSIX-H Series
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
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